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ポリシリコン抵抗   ポリシリコンキャパシタンス     
バーチカル NPN   VCBO +40v     
ラテラル PNP   VCBO -40v    
     
 
1層ポリ   2層メタル   3μmルール    0.6μmルール 
2層ポリ   3層メタル   1.5μmルール   0.35μmルール
    6層メタル   0.8μmルール   0.18μmルール
     
 
超低容量   ESD対策   1006   雷誘導サージ
双方向   サージ保護   0603   超小型パッケージ
単方向   極小チップ        SOD-923
     
 
     
 
二次側整流回路   低VF   SMD
力率改善回路   低Ir   TO-220
高速逆回復時間   小trr   TO-247
     
 
スイッチング   低VF   
ガラスパッケージ   低Ir  
樹脂パッケージ   小Irr  
     
 
二次側整流回路   低VF  
力率改善回路   低Ir  
高速逆回復時間      
     
 
高耐圧    低飽和電圧   高信頼性
高速スイッチング   高hFE   安定
低スイッチング損失   電流駆動    
     
 
FS-IGBT   ノンパンチスルー   WSi
RC-IGBT   タングステンプラグ   W-Plug
パンチスルー   タングステンシリサイド   NPT   PT
     
 
フィールドプレート   Field Plate    スーパー 
トレンチゲート   Trench Gate    ジャンクション
スプリットゲート    SPLIT Gate    保護ダイオード
     
 
SiC   ダイヤモンド   ワイドバンドギャップ 
GaN   Ga2O3   化合物半導体
GaAs   SiC SBD   SiC MOSFET  SiC IGBT
     
 
キャビリティ加工      
圧力センサー      
Deep RIE      
     
 
     
 
タイコ研削    高加速イオン注入装置  
薄ウエハ化技術   レーザーアニール  
裏面イオン注入