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バイポーラICを構成するために必要な BVCEO = 40v を有する縦型NPN、
PNPトランジスタ 及び PNPトランジスタ を搭載できるプロセスです。

配線は、メタル配線を1層、ポリシリを1層使用できます。
受動素子は、ポリシリ抵抗と拡散抵抗 及びポリシリ電極の容量が搭載
可能です。