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半導体材料として、SiC は Si に対して3倍のバンドギャップ、10倍の絶縁
破壊電界強度、3倍の熱伝導率を有します。
Si と比べて高耐圧化や低抵抗化、低損失化、高温動作化の点で優れて
いるため、パワーデバイス用途として期待されています。
当社でもSiCデバイス開発に着手しており、2018年からの量産を目指して
おります。
同時に、化合物ラインのファンドリー (OEM ) も進めており、ワイドバンド
ギャップ半導体 ( SiC、FaN、GaAs、Ga2O3、ダイヤモンド、etc... )
の未来に貢献します。