HOME > 产品、服务 > 原创半导体晶片代工生产 > N频道mos管・金属氧化物半导体场效应晶体管 ( Nch MOSFET )

Nch MOSFET

N Channel 20v MOS FET

AO3414, RUR040N02, AF2302、Si1012, NTE4153, FDY300NZ, Si1012, Si1551DL, NTUD3128,

Type No Absolute Max.
Rating
Electrical Characteristic IGSS(MAX)
(μA)
ESD
X non Protection
 Di
○ Protection Di
◎ >2.0kv
RDS(ON) (Ω ) VGS(off)
(V)
VDS
(V)
VGS
(V)
ID
(A)
VGS=1.5v VGS=1.8v VGS=2.5v VGS=4.5v VGS=10v
TYP TYP TYP TYP TYP MIN MAX
PT2002N1T 20 ±8 0.20 3.500 1.700   0.50 1.00 ±1
(VGS=±8v)
PT1602N1T 20 ±8 0.30       1.000   0.65 1.05 ±0.5
(VGS=±8v)
PT902N1T 20 ±8 0.50   0.700 0.500 0.400   0.53 1.00 ±1
(VGS=±8v)
PT22C2N1T 20 ±8 0.70   0.700 0.500 0.400   0.53 0.95 ±2
(VGS=±8v)
PT2202N1T 20 ±8 0.70 0.700 0.500 0.400   0.53 0.95. ±2
(VGS=±8v)
PC2202N1T 20 ±8 0.70   0.700 0.500 .0.400   0.53 0.95 ±2
(VGS=±8v)
PT2302N1A 20 ±8 0.95 0.500  0.300 0.200 0.140   0.53 1.10 ±3
(VGS=±8v)
PT2302N1T 20 ±8 0.95 0.500  0.300 0.200 0.140   0.53 1.10 ±3
(VGS=±8v)
PC2302N1A 20 ±8 0.95 0.500  0.300 0.200 0.140   0.53 1.10 ±3
(VGS=±8v)
PT2302N6A 20 ±12 0.95   0.400  0.220  0.130 0.60 1.30 ±10
(VGS=±12v)
PT1202N1T 20 ±8 2.00   0.170  0.100  0.075   0.53 1.00  ±1
(VGS=±8v)
PT1802N1T 20 ±8 2.00   0.110 0.060 0.045   0.45 1.00 ±2
(VGS=±5v)
PC1802N1T 20 ±8 2.00   0.110 0.060 0.045   0.45 1.00 ±2
(VGS=±8v)
PT1002N1T 20 ±8 4.00   0.070 0.035 0.027   0.53 1.00 ±1
(VGS=±8v)
PT2402N1T 20 ±8 4.00   0.040  0.030 0.020   0.53 1.00 ±1
(VGS=±8v)

N Channel 30v MOS FET

SSM3K14T, SSM6K202,SSM3K01T、RSR025N03,  NTLUF4189NZ, NTLUF4189NZ, RSF014N03, 2SK2980, SSM3K16CT, 2SK2373,UM6K1N,

Type No Absolute Max.
Rating
Electrical Characteristic IGSS(MAX)
(μA)
ESD
X non Protection
 Di
○ Protection Di
◎ >2.0kv
RDS(ON) (Ω ) VGS(off)
(V)
VDS
(V)
VGS
(V)
ID
(A)
VGS=1.5v VGS=1.8v VGS=2.5v VGS=4.5v VGS=10v
TYP TYP TYP TYP TYP MIN MAX
PT2003N3T 30 ±20 0.15   5.500 3.000   0.70 1.50 ±5
(VGS=±20v)
PT2703N4D 30 ±20 0.20   2.500 1.300  0.800 0.80 1.50 ±10
(VGS=±20v)
PT1603N3T 30 ±20 0.30     1.700   1.00 2.40 ±5
(VGS=±20v)
PT1603N1T 30 ±8 0.30 . 1.800 1.250 1.200   0.55 1.05 ±0.5
(VGS=±8v)
PT1603N1A 30 ±8 0.30 1.200   0.55 1.05 ±0.5
(VGS=±8v)
PC16C3N1T 30 ±8 0.30   1.200   0.55 1.05 ±0.5
(VGS=±8v)
PT2203N3A 30 ±20 0.50     1.500 0.600   1.00 1.60 ±1
(VGS=±10v)
PT2203N3T 30 ±20 0.50     1.500 0.060   1.00 1.80 ±10
(VGS=±20v)
PC2203N3T 30 ±20 0.50     1.500 0.060   1.00 1.80 ±10
(VGS=±20v)
PT2203N1T 30 ±8 0.70   0.550  0.390  0.280 0.50 1.00 ±3
(VGS=±8v)
PT2303N3A 30 ±20 0.80     02.50 0.150  1.00 2.50 ±10
(VGS=±20v)
PT2303N3T 30 ±20 0.80       0.250 0.150 1.00 2.50 ±10
(VGS=±20v)
PT2303N1A 30 ±8 0.80     0.300  0.200 0.50 1.50 ±3
(VGS=±8v)
PT2303N5A 30  ±12 0.80     0.260 0.180   0.50 1.50 ±10
(VGS=±12v)
PT1203N1T 30 ±8 2.00 0.200 0.115   0.53 1.00  ±1
(VGS=±8v)
PT1803N1T 30 ±8  2.00 0.130 0.120 0.070 0.055 0.45 1.00 ±2
(VGS=±8v)
○ 
PT1803N6T 30 ±12 2.00     0.080 0.050 0.50 1.50 ±10
(VGS=±12v)
PT1803N3T 30 ±20 2.00       0.080 0.050 1.10 2.30 ±5
(VGS=±20v)
◎ 
PT2403N3T 30 ±20 4.00 0.045 0.031 1.20 2.00 ±10
(VGS=±20v)
PT24B3N3T 30 ±20 4.00       0.045  0.031 1.20 2.00 ±10
(VGS=±20v)
PT1003N1T 30  ±8 4.00   0.080 0.045 0.035   0.53 1.00 ±1
(VGS=±8v)

N Channel 50v MOS FET

BSS138, 2N7002L,

Type No Absolute Max.
Rating
Electrical Characteristic IGSS(MAX)
(μA)
ESD
X non Protection
 Di
○ Protection Di
◎ >2.0kv
RDS(ON) (Ω ) VGS(off)
(V)
VDS
(V)
VGS
(V)
ID
(A)
VGS=1.5v VGS=1.8v VGS=2.5v VGS=4.5v VGS=10v
TYP TYP TYP TYP TYP MIN MAX
PT2006N1T 50 ±8 0.05 10.500    7.000 6.000   0.40 1.30 ±5
(VGS=±8v)
PT1606N1T 50 ±8 0.15       3.500   0.65 1.05 ±1
(VGS=±8v)
PC1606N1T 50 ±8 0.15   3.500   0.65 1.05 ±1
(VGS=±8v)
PT2206N4T 50 ±12 0.30       1.100 1.000 0.50 1.50 ±1
(VGS=±10v)
PT806N2T 50 ±20 0.30       1.500 1.200 1.00 1.40 ±8
(VGS=±20v)
×
PT806N4T 50 ±20 0.30   1.300 1.000 0.90 1.60 ±0.008
(VGS=±20v)
×
PT2206N4TD 50  ±20 0.30       1.000 0.900  0.70 1.50 ±10
(VGS=±20v) 

N Channel 60v MOS FET

SSM3K318T,CPH3430, Si2308, 2N7002, 5LN01C, 5HN01C

Type No Absolute Max.
Rating
Electrical Characteristic IGSS(MAX)
(μA)
ESD
X non Protection
 Di
○ Protection Di
◎ >2.0kv
RDS(ON) (Ω ) VGS(off)
(V)
VDS
(V)
VGS
(V)
ID
(A)
VGS=1.5v VGS=1.8v VGS=2.5v VGS=4.5v VGS=10v
TYP TYP TYP TYP TYP MIN MAX
PT2006N3T 60 ±20 0.05   8.00 5.50  1.00 2.40 ±5
(VGS=±20v)
PT2706N4D 60 ±20 0.10     3.70 3.20  0.80 1.48 ±10
(VGS=±20v)
PT2706N3D 60 ±20 0.10       3.70 3.20 1.20 2.00 ±10
(VGS=±20v)
PT1606N3T 60 ±20 0.15       3.50 3.00 1.00 2.00 ±4
(VGS=±20v)
PT2906N3T 60 ±20 0.20       1.65 1.40 1.20 2.00 ±0.01
(VGS=±20v)
×
PT806N1T 63 ±20 0.30       1.40 1.10 1.00 2.40 ±0.01
(VGS=±20v)
×
PT2106N3T 60 ±20 0.30       1.40 1.10 1.20 2.00 ±0.01
(VGS=±20v)
×
PT2206N3T 60 ±20 0.30       1.40 1.10 1.20 2.00 ±5
(VGS=±20v)
PT2206N3D 60 ±20 0.30       1.40 1.10 1.20 2.00 ±10
(VGS=±20v)
PC2206N3D 60 ±20 0.30       1.40 1.10 1.20 2.00 ±10
(VGS=±20v)
PC2106N3T 60  ±20  0.30       1.40  1.10  1.20 2.00  ±0.01
(VGS=±20v)
×
PT2106N4T 60  ±20  0.30       1.00 0.90 0.80 1.60 ±10
(VGS=±20v
× 
PT31B6N3T 60  ±20  0.50       0.50  0.40  1.50 2.50  ±0.1
(VGS=±20v)
×
PT1806N1A 60  ±10 1.00     0.220 0.185    0.40 1.30  ±10
(VGS=±8v)
PT32B6N3T 60  ±20  1.00       0.215  0.165  1.50 2.50  ±0.1
(VGS=±20v)
×
PT1806N3T 60  ±20  1.00       0.20  0.15  1.20 2.30  ±10
(VGS=±20v)
PT1806N3A 60  ±20  1.00       0.20  0.15  1.20 2.30  ±10
(VGS=±20v)
PT2406N3T 60  ±20  3.00       0.087  0.067  1.20 2.00  ±10
(VGS=±20v)

N Channel 100v MOS FET

SSM3K14T, SSM6K202,SSM3K01T、RSR025N03,  NTLUF4189NZ, NTLUF4189NZ, RSF014N03, 2SK2980, SSM3K16CT, 2SK2373,UM6K1N,

Type No Absolute Max.
Rating
Electrical Characteristic IGSS(MAX)
(μA)
ESD
X non Protection
 Di
○ Protection Di
◎ >2.0kv
RDS(ON) (Ω ) VGS(off)
(V)
VDS
(V)
VGS
(V)
ID
(A)
VGS=1.5v VGS=1.8v VGS=2.5v VGS=4.5v VGS=10v
TYP TYP TYP TYP TYP MIN MAX
PT2810N3T 100 ±20 2.00   0.200 0.150  1.50 2.50 ±15
(VGS=±20v)
PT3310N3T 100  ±20 2.00   0.160 0.150  1.50 2.50 ±15
(VGS=±20v)

COPYRIGHT (C) PHENITEC SEMICONDUCTOR