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次世代パワー半導体”SiC”の開発とファンドリー化に向けて

今やSiC(Silicon Carbide、炭化ケイ素)は次世代を担うパワー半導体として脚光を浴びています。 化合物半導体の優れた特性から、電力損失の大幅な削減と、デバイス及び搭載機器の小型・軽量化を実現しています。

フェニテックは広島大学と長年に亘り共同研究を続け、SiC製造プロセスを構築してSBD(ショットキバリアダイオード)のサンプル作成に成功しました。
次のステップとしては、SBDのさらなる高耐圧化とSiC-MOSFETの製造です。

フェニテックは、SiCの部分加工並びにファンドリー受託を将来の事業の柱と考えて、お客様からのご要望をお待ち申し上げております。