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  6PT23B6N3E  ( 42V/0.5A )
    漏极--源极之间内藏保护二极管于MOSFET中
    感性负载(继电器和电磁阀等) 切换用 

感应能量引起的雪崩电流会流入MOSFET,从而可能导致其被损坏。
6PT23B6N3E正是迎刃而解上述问题的构造,它在漏极--源极之间内藏了小于MOSFET耐压限度的二极管,
从而达成了雪崩电流无法流入MOSFET的理想构造。

【 特長 】

● 漏极--源极之间的保护二极管内藏于MOSFET。
● 回路配置简洁,为实际组装节省空间。
● 能够直接从微型控制器进行驱动。
● 低“接通电阻” 。
   相较于达林顿晶体管,(电流)导通损耗更小。
● 为防止静电破坏,内藏保护二极管于栅极--源极之间。( HBM: ≧2000V )

 
 Item  Unit   Condition  Min.  Typ.  Max.
 VGSS  V   @±10μA ±19   -   - 
 IGSS  μA  @±19V /   0V  -   -  ±10 
 IDSS   nA  @  0V /  40V  -   -   100
 V(BR)DSS  V   @  0V / 10μA  42  -   65
 Vth  V   @  5V / 250μA  1.2   -   2.0
 RDS(ON)①  Ω   @  10V / 500mA  -   0.53  - 
 RDS(ON)②  Ω   @  5V / 100mA  -   0.62  - 



  供洗衣使用的水的控制       风扇的控制
  液体洗涤剂的控制       电灯的控制
  盖子的锁头       转盘的控制

 
温水的加热器的控制   盖子的开闭 
温水的流量的调整    马桶座的开闭 
管嘴的移动    供暖空气使用的加热器的控制 
马桶座的加热器的控制     供暖空气使用的风扇的控制  

   
电灯的控制   门锁的开闭   
方向指示器的控制      
刮水器的控制       
自动升降车窗的控制      等等


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