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「朝向次世代功率半导体 ”SiC"的开发及晶圆代工」

SiC(Silicon Carbide, 碳化硅)将可能成为引领次世代的功率半导体而受到大众注目。此种材料具备化合物半导体的优异特性,并且能够大幅减低功率损耗,更能实现组件以及搭载机器的小型化与轻量化。

PHENITEC长年持续与广岛大学共同研究,建构SiC生产制程,成功完成SBD(萧特基二极管, Schottky Barrier Diodes)的样品制作。
下一步将进行SBD的更高耐压化以及SiC-MOSFET的制造。

PHENITEC将SiC的部分加工以及接受委托晶圆代工视为未来事业的核心支柱,随时等候顾客的需求联络。