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社長挨拶, syatyou aisatsu, tani hideaki,

さらなる飛躍を目指して



当社は、1968年10月創立し一昨年50周年を迎えることができました。また、1978年小信号スイッチングダイオード(現在も生産しております)から半導体の生産を開始いたしました。このように長きにわたり継続的に事業を行えますことは、お客様、取引先様、地域の皆様、諸先輩、そして社員の方々のおかげであります。心より感謝いたします。
当社は、半導体の前工程といわれるウェハープロセスを専業としており、ビジネスモデルとしては、ファンドリー(ウェハーレベルでの受託生産)が中心です。お客様はIDMと呼ばれる設計開発から製造(ウェハープロセス~パッケージ)販売を一貫でされるところ、ファブレスと呼ばれる設計開発と販売をされるところ(親会社であるトレックス・セミコンダクターなど)、及び当社の特長の一つである当社が設計開発を行い製造しお客様がパッケージ・販売をされるところがあります。
Si(シリコン)を材料とするPower MOSFET、IGBT、SBDなど電力制御を行うパワー半導体、トレックス・セミコンダクターの主力製品である電源用CMOS IC、Siの物理的限界を大きく超えるSiC(シリコンカーバイト)を材料とするSBDなど省エネ思考のデバイスを日本で生産することにより、地球環境の保全に貢献できることを切に願っています。