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                                    2017年12月13日
  6PT23B6N3E 42V/0.5A   
    ドレイン・ソース間保護ダイオード内蔵MOSFET
    誘導性負荷 (リレー・ソレノイド等 ) スイッチ用

誘導エネルギーによるアバランシェ電流がMOSFETに流れ込み、破壊する場合
があります。
6PT23B6N3Eは、ドレイン・ソース間にMOSFETよりも低い耐圧の保護ダイオード
を内蔵しており、アバランシェ電流がMOSFETに流れ込まない構造です。

【 特長 】
● ドレイン・ソース間に保護ダイオードを内蔵しています。
● 回路レイアウトがシンプルになり、実装の省スペース化に寄与します。
● マイコンから直接に駆動する事が出来ます。
● 低オン抵抗です。
  ダーリントントランジスタと比べて導通損失が大幅に小さくなります。
● 静電破壊防止用にゲート・ソース間に保護ダイオードを内蔵しています。
  ( HBM: ≧ 2000V )

【 開発中 暫定規格 】
 
Item Unit Condition Min. Typ. Max.
VGSS  V @ ±10μA  ±19  -   - 
 IGSS μA @ ±19V /  0V  -  -  ±10 
IDSS nA @   0V /  42V  -  -   500
V(BR)DSS  V @   0V / 10μA  42  -   65 
Vth  V @   5V /250μA  1.2  -  2.0
RDS(ON)①  Ω @  10V / 500mA  -  0.6   -
RDS(ON)②  Ω @  5V / 100mA  -  0.8   -

【 スケジュール 】 2018年2月 量産予定


  洗濯水の制御       ファンの制御 
  液体洗剤の制御        電灯の制御 
  蓋のロック       テーブルの制御 

 
温水用ヒーターの制御   蓋の開閉
温水の流量の調整    便座の開閉
ノズルの移動   温風用ヒーターの制御 
便座用ヒーターの制御   温風用ファンの制御 

   
ヘッドランプの点灯   ドアのロック   
方向指示器の開閉      
ワイパーの制御       
パワーウィンドウの制御      等々

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