カスタムファウンドリ
Custom FOUNDRY Service

Custom FOUNDRY Service

フェニテックは5inch・6inchの製造ラインでエピタキシャル成長からのウェハプロセス、ウェハ検査・テストを日本国内で一貫して行うウェハファウンドリ事業を展開しています。
創業当初から培ってきた技術力と対応力で、お客様のさらなる発展に貢献できるサービスと製品を提供いたします。

対応デバイスについて

マスクデータとプロセス情報をご提供いただきウェハプロセスを構築する”デザイン移管+プロセス移管型”サービス、 お客様がデザインされたデバイスのプロセス設計から生産までを行う”デザイン移管型”サービスによりお客様に最良の製品をご提供します。ウェハプロセスはエピタキシャルからウェハ検査・テストまでを自社一貫対応可能です。パッケージングは対応しておりませんが、ダイシングは提携工場がございます。また、部分加工の受託も承っております。詳しくは営業スタッフまでお問合せください。

受託実績例とプロセス能力

製品 仕様 関連主要装置
MOSFET Planer
Trench
Split Gate
Stepper(g線/i線)
W-Plug
CMP
Deep RIE
IGBT Planer/Non Punch Through
Planer/Punch Through
Trench/Field Stop
TAIKO
Laser Anneal
High Energy Impact(2-3MeV)
CMOS 0.35μm/6V/2Poly-3Metal
0.6μm/6V/2Poly-2Metal
5V-42V/1Poly-3Metal
WSi
W-Plug
CMP
Diode Fast Recovery Diode
Photo Diode
Ze Diode
Shottky Barrier Diode
Switching Diode
重金属拡散
Metal Sputtering
Bipolar Transistor NPN Transistor:BVCEO(〜800V)
PNP Transistor:BVCEO(〜600V)
 
TVS Single/Anode Common/Bi-Direction
Bi-Direction ESD≧8kV
Uni-Direction ESD≧8kV〜15kV
 
Bipolar IC BVCEO 40V  
MEMS 部分加工のみ Deep RIE
その他 ウェハ検査・テスト
ダイシング
Laser-Trimming
数社提携工場あり

化合物半導体

物質特性に優れ、データセンター、産業機器、EV(電気自動車)、鉄道車両向けなどへのPFC回路やインバーターなどへの活用が進む化合物半導体。脱炭素社会の実現に向け注目を浴びているこの分野にも当社は取り組んでいます。 長年培ってきたパワーデバイス開発のノウハウを活用し、SiC(シリコンカーバイド)・Ga2O3(酸化ガリウム)を用いたパワー半導体の研究・開発をすすめ、量産化を目指しています。 なおGaN(窒化ガリウム)では部分加工、GaAs(ガリウムヒ素)ではLazer Diodeの開発実績もございます。SiCはSBDデバイスのサンプル出荷を開始し、MOSFETの開発をすすめています。

化合物 デバイス・仕様 関連主要装置
SiC
(シリコンカーバイド)
MOSFET
SBD
HT Impla
Activation anneal(post implant anneal)
RIE
RTA
Ga2O3
(酸化ガリウム)
SBD  
GaN
(ガリウムナイトライド)
   
GaAs
(ガリウムヒ素)
Fabry-Perot Lazer Diode MOCVD

生産体制


     生産拠点

岡山に2箇所、鹿児島に1箇所の生産拠点があります。工場ごとに対応デバイスが異なります。詳しくは「拠点情報」をご覧ください。

     取得認証について

品質規格についてはISO9001:2015とIATF16949:2016を、環境・労働安全衛生規格についてはISO14001:2015、ISO45001:2018を取得済みです。詳しくは「品質、環境・安全への取組み」をご覧ください。

シャトルサービス

複数のお客様、または複数のチップの開発で共同利用が可能なCMOSシャトルサービスを提供しております。
複数のお客様が同じレチクル内に乗り合わせることで、低価格にて試作を行うことが出来ます。

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トレックスセミコンダクター

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太陽光発電